什么是全面的晶体管？

• 平面晶体管

经典的晶体管被​​称为平面晶体管，因为它在包括栅极的二维平面上带来了晶体管的关键元素，包括栅极，该闸门通过通道，源来调节电导率，通过该通道，驱动电流进入通道和排水管，并在其中调节电导率。电流离开通道。所有这些组件均建立在半导体材料硅的底部。这个晶体管概念在1950年代和60年代进行了工业化，非常适合大规模生产和小型化。芯片可能包含的晶体管数量可以显着增加，从而产生摩尔定律以及整个芯片行业。

• FinFET晶体管

随着时间的流逝，工程师发现，可以通过将门上的闸门升高到硅平面上方，就像水上的鳍片上方，对通道中的电流流动更多。很快，该行业从2D平面晶体管转换为3D FIN田间效应晶体管，缩写为finfets。在FinFET晶体管中，该门在硅鳍的三个侧面的通道周围缠绕，而不是在平面晶体管中的顶部。这会创建一个具有更大表面积的反转层，这使栅极能够更好地控制电流通过晶体管的流动。这意味着更多的电流可以以更少的泄漏流动，并且需要较低的门电压来操作晶体管。此外，FinFET的垂直几何形状使工程师可以将更多的晶体管包装在芯片中，从而进一步推进摩尔定律。结果是芯片具有更好的性能，较低的功耗和在2010年代的领先地位。

• 全能晶体管

但是，FinFET技术无法达到行业期望，只是时间问题。万博manbetx官网登录随着TSMC，三星和英特尔正在制造的最先进的芯片节点，Finfets达到了鳍的限制，可以并排放置多少鳍，以提高其当前携带能力而不会遭受痛苦来自电气挑战。

为了进一步改善晶体管渠道的控制，工程师找到了一种用一堆水平板替换垂直鳍的方法，创建了一个新概念，称为“栅极全面磁场效应晶体管”，这些晶体管被缩短为GAA晶体管或GAAFETS或GAAFETS。全面的晶体管使用堆叠的纳米片。这些独立的水平板垂直堆叠，使栅极围绕着所有四个侧面的通道，从而进一步减少泄漏并增加驱动电流。这意味着上部电信号通过晶体管之间和之间，从而改善了芯片性能。此外，芯片制造商现在可以灵活地改变纳米片的宽度，以最适合特定的芯片设计。具体而言，宽的纳米片可提供更高，更好的驱动电流，而狭窄的纳米片可以优化功耗。