光线和激光器
从可见的蓝光到看不见的极端紫外线，ASML的光刻机器将创新保持在光线和激光下向前移动
什么是光波长？像海中的波浪一样，光线作为一系列峰和槽旅行。峰之间的距离称为波长。光的波长越短，可以在光刻过程中打印的微芯片特征越小。
在整个ASML的历史中，我们都支持芯片制造商过渡到新的光刻波长，从而使更先进的微芯片成为可能。从可见的蓝光到ASML的独家紫外线（EUV）技术，每一步都需要创新光的产生方式。万博manbetx官网登录
汞灯：从蓝色到紫外线
建立ASML时，光刻的最新光源是汞蒸气灯。通过将电力传递到包含汞的灯泡中，这会产生光。电流会加热汞，直到它变成一个排放各种波长的血浆。使用干扰过滤器选择所需的波长。
我们的第一个光刻系统使用此设置来创建具有436纳米（NM）波长的蓝光，称为Mercury G-Line。它们可以打印出小至1微米（1,000 nm）的功能。为了启用较小的功能，我们很快切换到无形的紫外线（UV）光，波长为365 nm。这些后来的I线系统将特征大小推向1微米以下，最终达到220 nm。
激光和杜夫
在1980年代中期，该行业对较小功能的需求导致了较短的波长转变。这次，需要一种全新的光线：激光。特别是深紫外（DUV）准分子激光器。这些激光器使用通常不混合的气体混合物。但是，当施加足够的能量时，两种气体的原子会结合在一起，形成激发的临时分子（准分子）。激发分子释放出多余的能量，因为光的波长取决于所使用的气体。
KRF：杜夫黎明
第一个DUV系统基于两个元素的组合使用了准分子激光器：K和氟。这些K-fluoride（KRF）激光器产生的光，波长为248纳米（NM）。150 nm KRF系统缩减了从280 nm的尺寸，这是先前的ILINE系统。现代KRF系统现在可以生产到80 nm的功能。
与ARF更深入
进入紫外线光谱，下一代DUV光刻系统使用氩气（ARF）精液激光器，可产生以193 nm为单位的光线。这使得打印的尺寸为38 nm。
创建EUV光
EUV光刻这是一种万博manbetx官网登录完全独有的ASML技术，它使用的光线为13.5纳米的波长。该波长比Duv Light短14倍。
EUV光自然发生在外层空间。但是，为了使EUV光刻成为可能，我们需要设计一种在系统中创建此类光线的方法。因此，我们开发了一种彻底的新方法来生成光刻的光。
在我们的激光产生的血浆（LPP）源中，直径约25微米的熔融锡液滴以每秒70米的速度从发电机中弹出。当它们掉落时，液滴首先被低强度的激光脉冲击中，从而使它们变成煎饼形。然后，更强大的激光脉冲使扁平的液滴蒸发，以产生发出EUV光的等离子体。为了产生足够的光以制造微芯片，此过程每秒重复50,000次。
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