镜头和镜子
我们的机器中的复杂光学系统将印刷在晶片上的图像减少到纳米水平
当我们谈论光刻机器的镜头时，我们并不是在谈论一个简单的镜头。我们谈论的是一个复杂的光学系统，由数十个单独的镜片组成，对于EUV光刻，镜子。
每个人都必须在纳米内正确定位，以确保图像质量。ASML在镜头设计中的创新使芯片制造商可以减少微芯片上功能的大小。自1980年代后期以来，我们所有的光刻系统都介绍了我们战略合作伙伴Zeiss的光学功能。
数值光圈
晶状体开发以改善分辨率意味着增加数值孔径（NA），这是镜头系统可以收集和聚焦的光线的量度。一种方法是将较高精确的镜头和镜子整合到扩展的光学系统中。当今最高的NA光学系统高1.2米，重量超过公吨。在DUV光刻中，它们的NA为1.35。
浸入光刻
2003年，ASML在数值光圈方面迈出了重要的一步。我们开发了浸入式光刻，这使芯片制造商可以通过将光线通过镜头和晶圆之间的一层水投射到较小的特征。水增加了系统光学元件的数值光圈。
复杂性带来控制
当今光刻光学的纯粹复杂性使提供高质量的光学系统成为巨大的工程挑战。但这也带来了一个独特的机会，可以精确地控制所有曝光。成千上万的执行器允许对单个镜头和镜像元素的确切位置和方向进行仔细调整，以确保每次晶圆上的完美图像。
例如，在光刻中使用的重复强烈脉冲导致光学系统变热，从而导致镜头扭曲。这些变化可以在millikelvins和纳米中进行测量，但这仍然足以导致微芯片有缺陷。光学元件中的执行器可以积极补偿这些晶状体加热效果。
EUV需要镜子
其他光刻机器使用镜头聚焦光线。但是，没有透镜（EUV）光刻的镜头。由于大多数材料吸收了EUV光，因此镜头会吸收系统中的光。取而代之的是，我们开发了一个全新的光学系统，该光学系统使用真空室内的超平滑镜镜。每个镜子都有超过100层的材料，这些材料经过精心选择并精确地设计，以最大程度地提高EUV光的反射。
平坦度至关重要。镜子的光滑度少于一个原子的厚度。从角度来看，如果镜子是德国的大小，那么最高的“山”将只有1毫米高。
高NA EUV
ASML正在开发下一代EUV平台，该平台将数值孔径从0.33 NA增加到0.55（“高Na”）。该平台具有新颖的光学设计，并且阶段更快。它将在接下来的十年中实现几何芯片缩放，并提供比我们当前的EUV平台好70％的分辨率。高NA平台已设计为启用多个将来的节点，从3 nm逻辑节点开始，然后以相似密度的内存节点。
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