进一步推动K1

ASML正在推动有关光如何与物质相互作用到其绝对极限的基本物理概念

使用光刻较短的光线长度和更强大的光学系统可实现较小,更密集,更强大的微芯片。

瑞利方程的最后一部分是称为'k的系数1-Factor’,这是我们在光刻过程中可以做的其他所有事情的集合,以增强系统的分辨率。关键是将我们的系统越来越接近K1的身体极限。

控制光

控制光线的光线如何对K产生重大影响1和解决方案。在光刻系统内,照明器将光源从源头收集并集中在标线上,并可以实施各种技术,以使芯片制造商更好地控制其光刻过程并改善性能,而不会影响系统的速度。例如,离轴照明以一个角度向标线上发光,以更好地控制光线衍射的方式。同样,将光束塑造成不同的“瞳孔形状”,从简单斑点到复杂的点模式可以控制系统内部如何相互作用,以改善图像的对比度。


使学生成形

随着芯片特征变得越来越小,瞳孔形状​​变得越来越复杂和量身定制,以使最佳分辨率摆脱光线。过去,将手动插入照明器中,以获得最佳的结果。但是在我们的行业中,时间就是金钱。在当今的ASML DUV系统中,FlexRay自由形式照明器具有4,000个单独控制的镜子的阵列,它们可以立即创建您可以想象的任何学生形状。在我们的EUV系统中,FlexPupil自由形式照明器也扮演了类似的角色。


模拟最好的蓝图

使用我们系统生成的大量数据,计算光刻用强大的算法模拟制造过程。这些模拟有助于设计包含要在晶圆上打印的图案的芯片蓝图(标线)。这就是我们确保平版印刷机打印应有的内容的方式。该技术称为光学接近校正(OPC),通常与光刻系统中的特定照明优化相结合。

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