推k1进一步

ASML正在推动基本的物理概念,了解光线如何与其绝对限制互动

使用光刻与更短的光波长和更强大的光学系统可以实现更小,密度和更强大的微芯片。

瑞利方程的最后一部分是称为'k的系数1-factor ',这是我们可以在光刻过程中提高系统分辨率的所有其他东西的集合。关键是让系统越来越接近k1的身体限位。

控制光

控制光线击中的光线对k有很大影响1和分辨率。在光刻系统内部,光源收集并将光线聚焦到刻线上,并可以实施各种技术,让芯片制造商更好地控制其光刻过程,并在不影响系统速度的情况下提高性能。例如,离轴照明将光线以一定角度照射到刻线上,以更好地控制光线从图案的衍射方式。同样,将光束塑造成不同的“瞳孔形状”,从简单的点到复杂的点图案,可以控制光在系统内部的相互作用,从而提高图像的对比度。


让学生成型

随着芯片特征变小,瞳孔形状​​变得更加复杂,量身定制,以便从光中取出最佳分辨率。在过去,将衍射光学元件(DOE)产生所需的瞳孔形状将手动插入照明器中以获得最佳结果。但在我们的行业中,时间是金钱。在当今ASML Duv Systems中,FlexRay自由形式的照明器具有一个4,000个可单独控制的镜子的数组,其中可以瞬间创建您可以想象的任何瞳孔形状。在我们的EUV系统中,FlexPupil自由形式的照明器符合类似的作用。


模拟最好的蓝图

使用我们的系统生成的大量数据,计算光刻使用强大的算法模拟制造过程。这些模拟有助于设计包含要在晶片上印刷的图案的芯片蓝图(掩模版)。这就是我们如何确保我们的光刻机器打印它们应该是什么。该技术称为光学邻近校正(OPC),并且通常与光刻系统中的特定照明优化组合。

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