Twinscan NXE：3600D

关键功能和好处

Twinscan NXE：3600D将成像和覆盖层改进与其前身相比，生产率提高15％至20％²。Twinscan NXE：3600D提供的EUV光刻解决方案与基于ARF浸入技术的Twinscan NXT系统提供的EUV光刻解决方案是互补的。万博manbetx官网登录

NXE平台使用由基于TIN的等离子体源生成的13.5 nm EUV光，以最大暴露场大小为26 mm x 33毫米，揭露300毫米晶片。NXE：3600D配备了反射投影光学元件，数值（NA）为0.33。柔性面膜照明光学模块在保持高生产率的同时支持低K1应用。

光学和阶段的原位测量和每次磁力校正能力的组合可为每个裸露的晶片提供优化的成像和覆盖性能。这发生在高吞吐量，因为ASML Twinscan系统允许测量计量位置的晶圆特征，而另一个刚刚测量的晶圆被暴露。