ASML Twinscan NXE:3400C EUV光刻机器

Twinscan NXE:3400C

Twinscan NXE:3400C光刻系统支持7和5 nm节点的EUV量产生。

13.5 nm

EUV光波长

13 nm

解析度

0.33 Na

投影光学

≥170

每小时晶圆

剂量:20 mJ/cm²

关键功能和好处

Twinscan NXE:3400C是NXE:3400B的继任者,将在7和5 nm节点的EUV量产生以更高的生产率下支持。

Twinscan NXE:3400C结合了高生产率,出色的图像分辨率,与EUV NXE和ARFI NXT工具匹配,并进行焦点性能,提供了ASML ARFI技术的光刻功能。万博manbetx官网登录从2019年下半年开始,对EUV源工业化,覆盖,重点和生产力的改进为具有成本效益的数量生产提供了强大的解决方案。

01.生产力

NXE的300毫米晶圆吞吐量规范:3400C大于或等于每小时170瓦的剂量,剂量为20 mJ/cm2。吞吐量大于或等于每小时135晶片以30 mJ/cm的剂量2


02.光学

NXE:3400C具有Zeiss的全反射4 X降低镜头组件,最大曝光场为26 x 33毫米。


该系统配备了投影光学元件,其数值光圈(NA)为0.33,并且具有工作范围Sigma为0.06–1的照明器,可维持高生产率,同时启用低K1和13 nm的分辨率。光学和阶段的原位测量和校正可在低K1成像时暴露于每个晶圆的最大成像,覆盖和CDU性能。

03.成像性能

NXE:3400C可以实现1.4 nm的专用Chuck覆盖层,匹配的机器叠加层为1.5 nm。


覆盖精度是在整个场上和整个晶圆上测量的。晶圆比对在测量位置发生,并使用ASML可靠的相位光栅比对技术的Orion比对传感器进行目标检测。NXE:3400C基于紫外线源降低了产品晶片的过程依赖性。