Twinscan NXT：2050i

Thetwinscan NXT：2050i是一种高生产率，双阶段浸入光刻工具，旨在用于高级节点的体积生产300毫米晶片。

193 nm

ARF光源

≤38nm

解析度

1.35na

投影光学

295

每小时晶圆

关键功能和好处

我们的Twinscan NXT：2050i在未来的NXT4平台上建立在未来的NXT4平台上，推动了覆盖范围，并为沉浸式光刻系统提供了无与伦比的生产力。

thetwinscan NXT：2050i是最先进的沉浸式光刻系统设计与先进镜头设计的地方数值孔径（NA）1.35 - 目前在半导体行业中最高的。

此步进扫描系统是一种高生产率的双阶段工具，设计用于体积生产。

通过将高生产率与前所未有的覆盖性能相结合，该系统解决了多个图案要求，为在Advanced Logic和DRAM节点上制造300毫米瓦金夫提供了具有成本效益的解决方案。

Twinscan NXT：2050i正在提高比赛的半导体生产率，每小时能够产生295个晶圆。与早期相比，该系统每天能够每天交付400至500个晶圆。Twinscan系统。重新设计的晶圆阶段具有更强大的电动机，能够更快地加速并更准确地执行动作。

Twinscan NXT：2050i具有新的沉浸罩，可减少水分流失，从而显着提高缺陷性能。这可以通过更少的放缓来改善产品产量和更高的生产率。

该系统具有1.35 NA 193 nm catadioptric投影镜头，可以将生产分辨率降至40 nm（c-Quad）和38 nm（偶极子）和在线设计，并提供支持全26 x 33 mm场尺寸，4倍降低和缩放率与现有设计的兼容性。

该系统的镜头元素配备了操纵器，以校正光学畸变，从而最大程度地生产率低k₁成像。镜头指纹现在以高密度进行了优化，并且可以与EUV匹配。

平行ILIAS（巴黎）传感器允许在整个投影缝隙中平行测量光差，从而实现更准确的比对，增强的标线加热校正和固定的透镜加热校正。Twinscan NXT：2050i使用的巴黎传感器具有改进的传感器支架，可以转化为更好的定位可重复性。

该系统通过我们的交叉匹配性能提高了极端紫外线（EUV）NXE系统。它可以在产品覆盖层上实现2.5 nm的交叉匹配。标线阶段配备了增强的夹具，不仅提高了系统的可靠性，还提高了覆盖层。猎户座对齐传感器可提高对齐测量的准确性和增强的过程鲁棒性，将来可以升级到12颜色模式。

水平传感器（UVLS-2）使用紫外线来最大程度地减少系统对晶圆表面的在线映射过程中处理堆栈变化的敏感性。传感器具有增加的测量密度，可在晶片的边缘提高升级精度。